文章(zhang)來源(yuan)：中國(guo)電子(zi)科(ke)技(ji)集團(tuan)有限公司 發布時(shi)間(jian)：2022-05-21
6．1200V SiC MOSFET器件
【所屬領域(yu)】核心電(dian)子(zi)元器件
【中央企(qi)業名稱】中國電子(zi)科技集團有限公司
【技術(shu)產品簡(jian)介】1200V SiC MOSFET系列產品導(dao)通電(dian)阻覆(fu)蓋25mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ、280mΩ，封裝(zhuang)外形為TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TO-258等(deng)，聚焦于(yu)光伏逆變器、充電(dian)樁(zhuang)、開關(guan)電(dian)源(yuan)、UPS、電(dian)機驅動(dong)器、儲能、車載電(dian)源(yuan)、汽車DC-DC等(deng)應用，在軍(jun)用武器裝(zhuang)備系統、導(dao)彈、火(huo)箭(jian)電(dian)氣設備系統等(deng)也有(you)廣泛應用。
芯片工藝技(ji)術上，基于自主6英寸晶(jing)圓線，采用(yong)(yong)(yong)已經得到(dao)廣泛應(ying)用(yong)(yong)(yong)驗證的(de)(de)Planner工藝，滿(man)足應(ying)用(yong)(yong)(yong)魯(lu)棒(bang)性要求，器(qi)件(jian)可靠、強固(gu)。55所是國(guo)(guo)內(nei)(nei)首家(jia)實現SiC MOSFET產品研制和批量生產的(de)(de)企業，達到(dao)國(guo)(guo)內(nei)(nei)外廣泛應(ying)用(yong)(yong)(yong)的(de)(de)主流SiC MOSFET技(ji)術水平(ping)，填補了(le)國(guo)(guo)內(nei)(nei)空白。采用(yong)(yong)(yong)SiC MOSFET器(qi)件(jian)的(de)(de)電路，通過(guo)提升開關頻率，將顯著無源器(qi)件(jian)、散熱器(qi)的(de)(de)體積(ji)和數(shu)量，從而減少物料(liao)單(BOM)成分以(yi)及(ji)增加(jia)功率密度。
【產品圖片】
圖1 SiC MOSFET晶圓
圖2 SiC MOSFET封(feng)裝器件
圖3 SiC MOSFET應用
【與國外同(tong)類(lei)技術產品對(dui)比情況】
技術對比情況：相當
價格對比情況：相當
國(guo)外技術產品廠(chang)家及(ji)名(ming)稱：美國(guo)Cree公司C2M系列 SiC MOSFET
【技術指標】
1．擊穿電壓(ya)—器(qi)件阻斷狀態下(xia)能夠承受的最大(da)電壓(ya)：1200V
2．閾(yu)值電壓—柵壓大于閾(yu)值電壓器件開(kai)通(tong)，低于閾(yu)值電壓器件關(guan)斷：2.6V
3．導通(tong)電阻—工作柵壓下，器(qi)件達到(dao)額定(ding)電流時的導通(tong)電阻：25mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ、280mΩ
【責任編輯：家正】
