文章來源(yuan)：中國電子(zi)科技集團有限公司 發布時間：2022-05-21
6．1200V SiC MOSFET器(qi)件
【所屬領域(yu)】核心電(dian)子元器件
【中(zhong)(zhong)央企業名稱(cheng)】中(zhong)(zhong)國電子科技集團(tuan)有限公司(si)
【技術(shu)產品(pin)(pin)簡介】1200V SiC MOSFET系列產品(pin)(pin)導(dao)通(tong)電阻覆蓋25mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ、280mΩ，封裝(zhuang)外(wai)形(xing)為TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TO-258等，聚焦于光伏(fu)逆變(bian)器(qi)(qi)、充電樁、開關電源(yuan)、UPS、電機驅動(dong)器(qi)(qi)、儲能(neng)、車載電源(yuan)、汽車DC-DC等應用(yong)，在軍用(yong)武器(qi)(qi)裝(zhuang)備系統(tong)、導(dao)彈、火箭電氣設備系統(tong)等也有廣泛應用(yong)。
芯片工藝(yi)技術(shu)上(shang)，基于自(zi)主6英寸晶圓線，采用已經得到(dao)廣泛應用驗(yan)證(zheng)的Planner工藝(yi)，滿足應用魯棒性要(yao)求，器(qi)(qi)件可靠、強固。55所是國內(nei)首家實現SiC MOSFET產品研(yan)制(zhi)和(he)批量(liang)生產的企業(ye)，達到(dao)國內(nei)外廣泛應用的主流SiC MOSFET技術(shu)水平，填補了國內(nei)空(kong)白。采用SiC MOSFET器(qi)(qi)件的電(dian)路(lu)，通過(guo)提升開關頻率，將顯著無源器(qi)(qi)件、散熱器(qi)(qi)的體積(ji)和(he)數量(liang)，從而減少物料單(BOM)成分以及增加功率密度(du)。
【產品圖片】
圖1 SiC MOSFET晶(jing)圓
圖2 SiC MOSFET封裝器件
圖3 SiC MOSFET應用
【與(yu)國(guo)外同類技術產(chan)品(pin)對(dui)比情況】
技術對比情況：相當
價格對比情況：相當
國(guo)外技(ji)術產品廠家及名稱：美國(guo)Cree公司C2M系列(lie) SiC MOSFET
【技術指標】
1．擊穿電(dian)壓—器件阻斷狀(zhuang)態下能夠承(cheng)受的最(zui)大電(dian)壓：1200V
2．閾(yu)(yu)值(zhi)(zhi)電壓(ya)—柵壓(ya)大于(yu)閾(yu)(yu)值(zhi)(zhi)電壓(ya)器件(jian)開(kai)通，低于(yu)閾(yu)(yu)值(zhi)(zhi)電壓(ya)器件(jian)關斷(duan)：2.6V
3．導(dao)通(tong)電阻(zu)—工作柵壓下，器件達(da)到額定電流時(shi)的導(dao)通(tong)電阻(zu)：25mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ、280mΩ
【責任編輯：家正】
