文章來源：國家電網有限公(gong)司 發(fa)布時間：2022-05-21
8．3300V IGBT芯片和模塊
【所屬領(ling)域】核(he)心電(dian)子元器件
【中央企業名稱】國(guo)家(jia)電網有限公(gong)司
【技術(shu)產品簡介】產品為高壓(ya)大功率IGBT芯片/模塊系列化產品，IGBT是能(neng)源(yuan)變換與傳輸的核(he)心器(qi)件，俗稱電(dian)力電(dian)子裝置的“CPU”，在智能(neng)電(dian)網、新能(neng)源(yuan)發(fa)電(dian)、軌道交通、電(dian)動汽(qi)車、消(xiao)費類電(dian)子、工業(ye)控制、國防軍工等(deng)領域(yu)應用(yong)極為廣泛(fan)。高壓(ya)IGBT將主要用(yong)于靈活(huo)交流(liu)輸電(dian)、高壓(ya)直流(liu)斷路器(qi)、柔性直流(liu)輸電(dian)等(deng)產品。
通過產品(pin)的規(gui)模產業(ye)化，打破國(guo)(guo)外壟斷，實現高壓(ya)IGBT器件(jian)在智(zhi)能電(dian)網(wang)的國(guo)(guo)產化替代，推動經濟社會發展，保障電(dian)網(wang)安全。
【產品圖片】
圖1 IGBT芯片
圖2 FRD芯片
圖3 IGBT 模塊
圖4 柔直應用
【與國(guo)外同(tong)類技術產品對比(bi)情況(kuang)】
技術對比(bi)情(qing)況：存在(zai)差距
價格對比情況：高壓
國(guo)外技術(shu)產品廠家及名(ming)稱：ABB企業(ye)3300V/1500A技術(shu)產品
【技術指標】
1．閾值(zhi)電壓Vth(V)—器件開(kai)始導(dao)通的門極電壓：5～7V
2．集(ji)電(dian)極(ji)-發射(she)極(ji)飽和電(dian)壓Vce(sat)（V）—器件的導通壓降：3.7V
3．集電極-發(fa)射極漏電流最大值(zhi)Ices（mA）—器件的漏電流：40mA
4．開通(tong)損(sun)耗Eon（mJ）-器件的(de)開通(tong)損(sun)耗：4.5J
5．關斷(duan)損耗(hao)Eoff（mJ）—器件(jian)的關斷(duan)損耗(hao)：2.2J
【責任編輯：家正】
