文(wen)章(zhang)來源(yuan)：華潤(run)（集團）有限公(gong)司(si) 發布時間(jian)：2022-05-21
17．600V~1200V溝槽柵FS IGBT及配套(tao)FRD
【所屬領域】核心電子(zi)元器件(jian)
【中(zhong)央企業名稱】華潤（集團）有限公司
【技術產品簡介(jie)】600V~1200V溝槽柵(zha)FS IGBT(絕(jue)緣柵(zha)雙極晶體(ti)(ti)管）器件結(jie)合了MOSFET(金屬氧(yang)化物場效應功(gong)率晶體(ti)(ti)管)和BJT(雙極晶體(ti)(ti)管)的(de)優勢，具有工作頻率高(gao)、功(gong)率密度大(da)、導通(tong)壓降低、熱(re)穩(wen)定(ding)性好，同時兼備輸入阻抗高(gao)，驅動簡單等(deng)優點(dian)。
經(jing)過長期技術研發和(he)產品應用積累(lei)，600V、1200V分立器(qi)(qi)件(jian)IGBT產品已經(jing)完成系(xi)列(lie)化，電(dian)(dian)流分布(bu)從(cong)5A到75A。并廣泛推廣到UPS、光伏逆變(bian)、變(bian)頻器(qi)(qi)、電(dian)(dian)機(ji)驅動、電(dian)(dian)源(yuan)、電(dian)(dian)焊機(ji)、電(dian)(dian)磁(ci)加熱等領域。
【產品圖片】
圖1 IGBT晶圓
圖2 IGBT分(fen)立(li)器件(jian)
圖3 UPS
圖4 焊機
【與(yu)國外(wai)同類技術產品對(dui)比(bi)情(qing)況】
技術對比情況：相當
價格對比情況：低于
國外技術(shu)產品(pin)廠家及(ji)名稱：上海(hai)賽治:FC-AE MC100芯片
【技術指標】
1．VBR(CES)（V）—正向(xiang)阻(zu)斷能(neng)力(li)（耐壓(ya)）：1200V
2．VGE(th) (V) —閾值電壓：5.5V
3．VCEsat(V) —正向導通壓降：1.9V
【責任編輯：家正】
