600V~1200V溝槽柵FS IGBT及配套FRD
文章來源：華潤（集(ji)團）有限公司 發布時間(jian)：2022-05-21
17．600V~1200V溝槽(cao)柵(zha)FS IGBT及配套FRD
【所屬領域】核心電子(zi)元(yuan)器件
【中(zhong)央企(qi)業名稱】華潤（集團）有限公司
【技術產品簡介(jie)】600V~1200V溝槽(cao)柵FS IGBT(絕緣柵雙極晶體(ti)管）器(qi)件結合了MOSFET(金屬氧化物場效應功率晶體(ti)管)和BJT(雙極晶體(ti)管)的優(you)勢，具有(you)工作頻率高、功率密(mi)度大、導通壓降低、熱穩定性好，同時兼備輸入(ru)阻抗高，驅動簡單等優(you)點(dian)。
經過(guo)長(chang)期技術研發和產品應(ying)用積累，600V、1200V分立(li)器件IGBT產品已(yi)經完(wan)成(cheng)系列化(hua)，電(dian)流分布從5A到(dao)75A。并廣泛推廣到(dao)UPS、光伏逆變(bian)、變(bian)頻器、電(dian)機驅(qu)動、電(dian)源、電(dian)焊機、電(dian)磁加熱等領域。
【產品圖片】
圖1 IGBT晶圓
圖2 IGBT分立(li)器件
圖3 UPS
圖4 焊機
【與國外同類技術產品對比情況】
技術對比情況：相當
價格對比情況：低于
國外技術(shu)產(chan)品廠家(jia)及(ji)名稱：上海賽治:FC-AE MC100芯片
【技術指標】
1．VBR(CES)（V）—正向阻斷(duan)能力(li)（耐壓）：1200V
2．VGE(th) (V) —閾值電壓：5.5V
3．VCEsat(V) —正(zheng)向導通壓(ya)降：1.9V
【責任編輯：家正】
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