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6．1200V SiC MOSFET器件

【所屬(shu)領域】核心電子元(yuan)器件

【中(zhong)央企業名(ming)稱】中(zhong)國電子科(ke)技(ji)集團有限公司

【技術產品簡介】1200V SiC MOSFET系列產品導通電阻覆蓋25mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ、280mΩ，封裝(zhuang)外形為TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TO-258等(deng)，聚焦于(yu)光伏逆(ni)變器(qi)、充電樁、開關電源、UPS、電機驅動器(qi)、儲能、車(che)載電源、汽車(che)DC-DC等(deng)應用，在(zai)軍用武(wu)器(qi)裝(zhuang)備系統、導彈、火箭電氣設備系統等(deng)也有(you)廣泛應用。

芯片(pian)工藝技術(shu)上，基(ji)于自主6英寸晶(jing)圓線，采(cai)用已(yi)經得(de)到(dao)廣泛(fan)應用驗證(zheng)的(de)Planner工藝，滿足應用魯棒性要求，器(qi)(qi)件(jian)可(ke)靠、強固。55所是國(guo)內首家實現SiC MOSFET產(chan)(chan)品研制和批量(liang)生產(chan)(chan)的(de)企(qi)業，達到(dao)國(guo)內外(wai)廣泛(fan)應用的(de)主流SiC MOSFET技術(shu)水平，填補了(le)國(guo)內空(kong)白(bai)。采(cai)用SiC MOSFET器(qi)(qi)件(jian)的(de)電路，通過提升開關頻(pin)率(lv)，將顯(xian)著無源器(qi)(qi)件(jian)、散熱(re)器(qi)(qi)的(de)體(ti)積和數量(liang)，從而(er)減(jian)少物料單(BOM)成分以及增加功率(lv)密(mi)度。

【產品圖片】

圖1 SiC MOSFET晶圓

圖(tu)2 SiC MOSFET封(feng)裝器(qi)件

圖(tu)3 SiC MOSFET應用

【與國外同類技術產品(pin)對比情況(kuang)】

技術對比情況：相當

價格對比情況：相當

國外技術產品(pin)廠家(jia)及名稱：美國Cree公司C2M系列 SiC MOSFET

【技術指標】

1．擊穿電壓(ya)—器件阻(zu)斷(duan)狀態下能夠承受(shou)的最大電壓(ya)：1200V

2．閾值(zhi)電(dian)壓(ya)—柵壓(ya)大(da)于(yu)閾值(zhi)電(dian)壓(ya)器件開通，低于(yu)閾值(zhi)電(dian)壓(ya)器件關(guan)斷：2.6V

3．導通電阻—工作柵壓下，器件達到額定(ding)電流(liu)時的導通電阻：25mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ、280mΩ

【責任編輯：家正】