免费菠萝视频app下载

6．1200V SiC MOSFET器件

【所屬(shu)領域】核(he)心電子元器(qi)件(jian)

【中央企業名稱(cheng)】中國(guo)電子科技集(ji)團有(you)限公司

【技術產(chan)(chan)品簡介】1200V SiC MOSFET系列(lie)產(chan)(chan)品導通電(dian)(dian)(dian)(dian)阻覆蓋25mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ、280mΩ，封裝外形為TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TO-258等(deng)，聚焦于光(guang)伏逆變器、充(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)樁、開關(guan)電(dian)(dian)(dian)(dian)源、UPS、電(dian)(dian)(dian)(dian)機(ji)驅動器、儲(chu)能、車載(zai)電(dian)(dian)(dian)(dian)源、汽車DC-DC等(deng)應用，在(zai)軍用武器裝備系統、導彈、火箭電(dian)(dian)(dian)(dian)氣設備系統等(deng)也有廣泛應用。

芯片(pian)工(gong)(gong)藝(yi)(yi)技術上，基于自(zi)主6英寸晶圓線，采(cai)用(yong)已經得到廣(guang)泛應(ying)用(yong)驗證的Planner工(gong)(gong)藝(yi)(yi)，滿足應(ying)用(yong)魯棒性要求，器(qi)件(jian)可靠、強固。55所是國(guo)內首家實現SiC MOSFET產(chan)品研制和批量生產(chan)的企業(ye)，達到國(guo)內外廣(guang)泛應(ying)用(yong)的主流SiC MOSFET技術水平，填(tian)補了國(guo)內空白。采(cai)用(yong)SiC MOSFET器(qi)件(jian)的電路，通過提(ti)升開關頻率，將顯著無源器(qi)件(jian)、散熱(re)器(qi)的體積和數量，從而(er)減少(shao)物料(liao)單(dan)(BOM)成分以及(ji)增加功率密度(du)。

【產品圖片】

圖1 SiC MOSFET晶(jing)圓

圖2 SiC MOSFET封裝器件

圖3 SiC MOSFET應用

【與國外(wai)同(tong)類技術(shu)產(chan)品對比情況】

技術對比情況：相當

價格對比情況：相當

國外技(ji)術(shu)產(chan)品廠家及名稱(cheng)：美國Cree公(gong)司(si)C2M系列 SiC MOSFET

【技術指標】

1．擊穿電壓—器(qi)件阻斷(duan)狀(zhuang)態下能(neng)夠(gou)承受(shou)的最大電壓：1200V

2．閾(yu)值電壓(ya)—柵(zha)壓(ya)大于閾(yu)值電壓(ya)器(qi)件開通，低于閾(yu)值電壓(ya)器(qi)件關(guan)斷：2.6V

3．導通電阻—工作(zuo)柵壓下，器件達(da)到(dao)額定電流時的導通電阻：25mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ、280mΩ

【責任編輯：家正】