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8．3300V IGBT芯片(pian)和模(mo)塊

【所(suo)屬領域】核心電(dian)子元(yuan)器件

【中央企業名稱】國家電(dian)網有限公司

【技(ji)術產(chan)品簡介(jie)】產(chan)品為(wei)高(gao)壓(ya)(ya)大功率(lv)IGBT芯片/模塊系列化產(chan)品，IGBT是能(neng)源(yuan)變換(huan)與傳輸的核(he)心器(qi)件，俗稱電(dian)(dian)(dian)力電(dian)(dian)(dian)子裝置的“CPU”，在(zai)智能(neng)電(dian)(dian)(dian)網、新能(neng)源(yuan)發電(dian)(dian)(dian)、軌道交(jiao)通、電(dian)(dian)(dian)動汽車、消費(fei)類電(dian)(dian)(dian)子、工業控制、國防軍工等領域(yu)應(ying)用極為(wei)廣泛(fan)。高(gao)壓(ya)(ya)IGBT將主要(yao)用于靈活交(jiao)流(liu)輸電(dian)(dian)(dian)、高(gao)壓(ya)(ya)直流(liu)斷路器(qi)、柔性直流(liu)輸電(dian)(dian)(dian)等產(chan)品。

通過產品(pin)的規模產業化(hua)，打破國外壟(long)斷，實現高壓(ya)IGBT器件在(zai)智(zhi)能電(dian)網的國產化(hua)替(ti)代，推動經濟(ji)社會發展，保障電(dian)網安全。

【產品圖片】

圖1 IGBT芯片

圖2 FRD芯片

圖3 IGBT 模塊

圖4 柔直應用

【與(yu)國外同類技術產品對比情況】

技術對(dui)比情(qing)況：存(cun)在差距

價格對比情況：高壓

國外技術產品廠(chang)家(jia)及(ji)名稱：ABB企業3300V/1500A技術產品

【技術指標】

1．閾值電壓(ya)Vth(V)—器(qi)件開始(shi)導通(tong)的門極電壓(ya)：5～7V

2．集電極-發射極飽和電壓(ya)Vce(sat)（V）—器(qi)件的導(dao)通壓(ya)降(jiang)：3.7V

3．集電(dian)(dian)極-發射極漏電(dian)(dian)流最大值Ices（mA）—器件的漏電(dian)(dian)流：40mA

4．開(kai)通損耗Eon（mJ）-器件的(de)開(kai)通損耗：4.5J

5．關(guan)斷(duan)損耗Eoff（mJ）—器件(jian)的關(guan)斷(duan)損耗：2.2J

【責任編輯：家正】