文章來源：華潤（集團）有限公司 發布時間：2022-05-21
17．600V~1200V溝槽(cao)柵FS IGBT及(ji)配套FRD
【所屬(shu)領域】核(he)心(xin)電子元器件
【中(zhong)央企(qi)業名稱】華(hua)潤(run)（集團(tuan)）有限公司(si)
【技術產品簡(jian)介】600V~1200V溝(gou)槽柵FS IGBT(絕(jue)緣柵雙極(ji)晶體(ti)管）器(qi)件(jian)結合了MOSFET(金屬氧化(hua)物場(chang)效(xiao)應功率(lv)晶體(ti)管)和BJT(雙極(ji)晶體(ti)管)的優勢(shi)，具有工(gong)作頻率(lv)高、功率(lv)密度大、導通壓降低(di)、熱穩定性好，同時(shi)兼備輸入阻抗高，驅(qu)動簡(jian)單(dan)等優點。
經過長(chang)期技術研(yan)發和(he)產(chan)品應用積累，600V、1200V分立器件IGBT產(chan)品已經完(wan)成系列化，電(dian)流(liu)分布(bu)從5A到(dao)75A。并廣(guang)(guang)泛推廣(guang)(guang)到(dao)UPS、光伏逆變(bian)、變(bian)頻器、電(dian)機驅動、電(dian)源、電(dian)焊機、電(dian)磁加(jia)熱(re)等領域。
【產品圖片】
圖1 IGBT晶圓
圖(tu)2 IGBT分立器件
圖3 UPS
圖4 焊機
【技術指標】
1．VBR(CES)（V）—正向阻斷能力（耐(nai)壓(ya)）：1200V
2．VGE(th) (V) —閾值電(dian)壓：5.5V
3．VCEsat(V) —正(zheng)向導通壓降(jiang)：1.9V
聯系(xi)人(ren)：陳鈞 聯系(xi)電話：13701510700
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