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600V~1200V溝槽柵FS IGBT及配套FRD

文章來源:華潤(集團(tuan))有(you)限公司(si)  發布時間(jian):2022-05-21


17.600V~1200V溝槽(cao)柵(zha)FS IGBT及配套FRD

【所屬領域】核心電子元(yuan)器件

【中(zhong)央企業名稱】華潤(集團)有限公司

【技術(shu)產品簡(jian)介】600V~1200V溝(gou)槽(cao)柵FS IGBT(絕緣柵雙(shuang)極晶體(ti)管(guan))器件結合(he)了MOSFET(金屬氧化物場效應功率晶體(ti)管(guan))和BJT(雙(shuang)極晶體(ti)管(guan))的優勢(shi),具有工(gong)作(zuo)頻率高、功率密度大、導通(tong)壓降低、熱穩定性好(hao),同時兼備(bei)輸入(ru)阻抗高,驅動簡(jian)單(dan)等優點。

經(jing)過(guo)長(chang)期技(ji)術研發和產(chan)品(pin)應用積累,600V、1200V分立器(qi)件IGBT產(chan)品(pin)已(yi)經(jing)完成(cheng)系列化,電(dian)流分布從5A到75A。并廣(guang)(guang)泛推(tui)廣(guang)(guang)到UPS、光伏逆變、變頻(pin)器(qi)、電(dian)機驅(qu)動(dong)、電(dian)源、電(dian)焊機、電(dian)磁加熱等領域。

【產品圖片】

圖1 IGBT晶圓

圖2 IGBT分(fen)立器(qi)件

圖3 UPS

圖4 焊機

【技術指標】

1.VBR(CES)(V)—正向阻斷能力(li)(耐壓):1200V

2.VGE(th) (V) —閾值(zhi)電壓:5.5V

3.VCEsat(V) —正(zheng)向導通壓降:1.9V

聯系(xi)人(ren):陳鈞   聯系(xi)電話:13701510700

【責任編輯:家正】

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