文章來源：華潤（集(ji)團）有(you)限公司 發布時間：2018-06-02
16．30V~200V先進中低壓功率MOSFET–SGT系列產品
【所屬領域】核心電子元器件
【中央企業名稱】華潤（集團）有限公司
【技術產品簡介】SGT MOS器件(jian)是(shi)新一(yi)代(dai)MOS型(xing)功率(lv)器件(jian)，廣(guang)泛應用(yong)于(yu)移動通(tong)訊、電(dian)動工具、電(dian)動車輛(liang)、電(dian)源和(he)電(dian)池控制、工業控制等領域，具有良好的應用(yong)前景。
SGT MOS器件是目前理想的中低(di)壓(ya)功率器件,該(gai)器件利用電(dian)(dian)荷(he)(he)補(bu)償原理能夠同(tong)時獲得極(ji)(ji)低(di)的導(dao)通電(dian)(dian)阻Ron、柵(zha)極(ji)(ji)電(dian)(dian)荷(he)(he)Qg以及米勒(le)電(dian)(dian)荷(he)(he)Qgd，能夠有效(xiao)地降(jiang)低(di)系(xi)(xi)統的導(dao)通損耗和(he)開關損耗，從而提升系(xi)(xi)統轉(zhuan)換效(xiao)率，提高(gao)了(le)功率密度，減少器件的并聯(lian)需求，簡化了(le)系(xi)(xi)統設(she)計。
【產品圖片】
圖1 TO-220產品(pin)
圖2 DFN5x6產品
圖3 電機控(kong)制器應(ying)用
【與國外同類技術產品對比情況】
技術對比情況：相當
價格對比情況：低于
國外技術(shu)產(chan)品廠家及(ji)名稱：英(ying)飛(fei)凌OptiMOS系列(lie)產(chan)品 / 安森(sen)美PowerTrench系列(lie)產(chan)品
【技術指標】
1．單位面(mian)積(ji)(ji)導(dao)通電阻Rsp—MOSFET導(dao)通電阻（單位面(mian)積(ji)(ji)），越(yue)低(di)越(yue)好：Rsp=33m?.mm2 (100V MOSFET)
2．品質因子FOM—MOSFET Ron*Qg，越(yue)低(di)越(yue)好：FOM=146m?.nC
17．600V~1200V溝槽柵FS IGBT及配套FRD
【所屬領域】核心電子元器件
【中央企業名稱】華(hua)潤（集團）有限公司(si)
【技術產品簡介】600V~1200V溝槽(cao)柵FS IGBT(絕緣柵雙(shuang)極晶(jing)體(ti)管(guan)）器件(jian)結(jie)合了MOSFET(金屬氧化物場效應功率(lv)晶(jing)體(ti)管(guan))和BJT(雙(shuang)極晶(jing)體(ti)管(guan))的(de)優(you)勢，具有工作(zuo)頻率(lv)高(gao)、功率(lv)密(mi)度大、導通(tong)壓降低、熱穩(wen)定(ding)性(xing)好，同(tong)時(shi)兼備輸入阻抗高(gao)，驅動簡單等優(you)點。
經(jing)過(guo)長期技術研發和產品應用(yong)積累，600V、1200V分立器件IGBT產品已(yi)經(jing)完成系(xi)列化，電流分布從5A到75A。并廣泛推(tui)廣到UPS、光伏(fu)逆(ni)變(bian)、變(bian)頻(pin)器、電機驅動(dong)、電源(yuan)、電焊(han)機、電磁加熱等(deng)領域。
【產品圖片】
圖1 IGBT晶圓
圖2 IGBT分立器件(jian)
圖3 UPS
圖4 焊機
【與國外同類技術產品對比情況】
技術對比情況：相當
價格對比情況：低于
國外技術產品廠家及名(ming)稱：上海賽治:FC-AE MC100芯片
【技術指標】
1．VBR(CES)（V）—正向阻(zu)斷能力(li)（耐壓）：1200V
2．VGE(th) (V) —閾(yu)值電壓：5.5V
3．VCEsat(V) —正(zheng)向導(dao)通(tong)壓降(jiang)：1.9V
18．硅基高速光耦系列產品
【所屬領域】核心電子元器件
【中央企業名稱】華潤（集團(tuan)）有限公司
【技術產品簡介】硅基高速光(guang)耦(ou)(ou)，是高端光(guang)電耦(ou)(ou)合器件(jian)，用于輸(shu)入與輸(shu)出間互相隔(ge)離，具有(you)良(liang)好的電絕緣(yuan)能(neng)力(li)和抗干擾能(neng)力(li)，還有(you)很(hen)強的共模抑制能(neng)力(li)，廣泛用于電氣絕緣(yuan)、電平(ping)轉換、級間耦(ou)(ou)合、通信設備(bei)及微(wei)機接口中；光(guang)耦(ou)(ou)合器中的核心的器件(jian)是光(guang)接收芯(xin)片。華潤微(wei)電子具備(bei)從100K～15Mbd的系(xi)列高速光(guang)耦(ou)(ou)芯(xin)片，性(xing)能(neng)優越，是國產光(guang)耦(ou)(ou)類產品的領軍者。
【產品圖片】
圖1 產品圖片
圖2 應用實例
圖3 應用場景
【與國外同類技術產品對比情況】
技術對比情況：相當
價格對比情況：低于
國外技(ji)術(shu)產品廠家(jia)及名稱： Broadcom、Toshiba等廠家(jia)的6N13x等
【技術指標】
1．tPHL—高到低電(dian)平(ping)傳輸(shu)延遲：<30ns
2．tPLH—低(di)到高電平傳輸延遲：<40ns
3．PWD—脈寬失真(zhen)：<15ns
