文(wen)章來源：華潤（集團）有限公司 發布時(shi)間：2018-06-02
16．30V~200V先進中低壓功率MOSFET–SGT系列產品
【所屬領域】核心電子元器件
【中央企業名稱】華潤（集團）有(you)限公司
【技術產品簡介】SGT MOS器(qi)件(jian)是(shi)新一代MOS型功率(lv)器(qi)件(jian)，廣(guang)泛應用于移(yi)動(dong)通(tong)訊、電動(dong)工(gong)具(ju)、電動(dong)車(che)輛(liang)、電源(yuan)和電池控制、工(gong)業控制等領(ling)域，具(ju)有良好的應用前景。
SGT MOS器(qi)件是目(mu)前理想的中低壓功(gong)率(lv)器(qi)件,該器(qi)件利用電(dian)荷補償原理能(neng)夠(gou)(gou)同(tong)時獲得(de)極低的導通(tong)電(dian)阻Ron、柵極電(dian)荷Qg以及(ji)米(mi)勒電(dian)荷Qgd，能(neng)夠(gou)(gou)有(you)效(xiao)地降低系(xi)統的導通(tong)損耗和開關損耗，從(cong)而提(ti)升系(xi)統轉(zhuan)換效(xiao)率(lv)，提(ti)高了功(gong)率(lv)密度，減少器(qi)件的并聯需求，簡化了系(xi)統設計。
【產品圖片】
圖1 TO-220產品
圖(tu)2 DFN5x6產(chan)品(pin)
圖3 電(dian)機控制器應用
【與國外同類技術產品對比情況】
技術對比情況：相當
價格對比情況：低于
國外技(ji)術產品(pin)廠家及名稱：英(ying)飛凌OptiMOS系列(lie)(lie)產品(pin) / 安(an)森美(mei)PowerTrench系列(lie)(lie)產品(pin)
【技術指標】
1．單位(wei)面積導通(tong)電阻Rsp—MOSFET導通(tong)電阻（單位(wei)面積），越低越好(hao)：Rsp=33m?.mm2 (100V MOSFET)
2．品質(zhi)因子FOM—MOSFET Ron*Qg，越低越好：FOM=146m?.nC
17．600V~1200V溝槽柵FS IGBT及配套FRD
【所屬領域】核心電子元器件
【中央企業名稱】華潤(run)（集團）有限(xian)公司
【技術產品簡介】600V~1200V溝槽(cao)柵(zha)FS IGBT(絕緣柵(zha)雙(shuang)極晶(jing)(jing)體管）器件結(jie)合了MOSFET(金(jin)屬氧(yang)化物場效應功率(lv)晶(jing)(jing)體管)和BJT(雙(shuang)極晶(jing)(jing)體管)的優勢(shi)，具有工作(zuo)頻(pin)率(lv)高(gao)、功率(lv)密度大、導通壓降低(di)、熱穩定性好，同時兼(jian)備(bei)輸入(ru)阻抗高(gao)，驅動簡單等優點。
經過長期技術研發和(he)產(chan)品應用(yong)積(ji)累(lei)，600V、1200V分立器件IGBT產(chan)品已經完成系列(lie)化，電(dian)流分布(bu)從(cong)5A到(dao)(dao)75A。并廣(guang)泛(fan)推廣(guang)到(dao)(dao)UPS、光(guang)伏逆變(bian)、變(bian)頻器、電(dian)機(ji)(ji)驅動、電(dian)源、電(dian)焊(han)機(ji)(ji)、電(dian)磁(ci)加熱等領域。
【產品圖片】
圖1 IGBT晶圓
圖2 IGBT分立器件
圖3 UPS
圖4 焊機
【與國外同類技術產品對比情況】
技術對比情況：相當
價格對比情況：低于
國外技術產(chan)品廠(chang)家及名稱：上(shang)海賽治:FC-AE MC100芯片
【技術指標】
1．VBR(CES)（V）—正向(xiang)阻斷能力（耐(nai)壓）：1200V
2．VGE(th) (V) —閾值電壓(ya)：5.5V
3．VCEsat(V) —正向導通(tong)壓降：1.9V
18．硅基高速光耦系列產品
【所屬領域】核心電子元器件
【中央企業名稱】華潤（集團）有限(xian)公司
【技術產品簡介】硅基高速(su)光耦(ou)(ou)(ou)(ou)，是(shi)高端光電(dian)耦(ou)(ou)(ou)(ou)合器件，用于輸入與輸出間(jian)互(hu)相(xiang)隔離(li)，具有良好的(de)電(dian)絕緣能力和抗干擾能力，還有很強的(de)共(gong)模抑(yi)制能力，廣泛用于電(dian)氣(qi)絕緣、電(dian)平轉換、級間(jian)耦(ou)(ou)(ou)(ou)合、通信設備及(ji)微機接(jie)口中(zhong)；光耦(ou)(ou)(ou)(ou)合器中(zhong)的(de)核心的(de)器件是(shi)光接(jie)收芯(xin)片。華潤(run)微電(dian)子具備從100K～15Mbd的(de)系列高速(su)光耦(ou)(ou)(ou)(ou)芯(xin)片，性能優越(yue)，是(shi)國產光耦(ou)(ou)(ou)(ou)類產品的(de)領軍(jun)者(zhe)。
【產品圖片】
圖1 產品圖片
圖2 應用實例
圖3 應用場景
【與國外同類技術產品對比情況】
技術對比情況：相當
價格對比情況：低于
國外技(ji)術(shu)產品廠家(jia)及名稱： Broadcom、Toshiba等(deng)廠家(jia)的6N13x等(deng)
【技術指標】
1．tPHL—高到低電平傳輸延遲：<30ns
2．tPLH—低(di)到高電平(ping)傳輸延遲：<40ns
3．PWD—脈寬失(shi)真：<15ns
