發布時間：2018-06-02
8． 3300V IGBT芯片和模塊
【所屬領域】核心電子元器件
【中央企業名稱】國家電網有限公司
【技術產品簡介】產(chan)品(pin)為高(gao)壓(ya)大(da)功率(lv)IGBT芯片/模塊(kuai)系列化產(chan)品(pin)，IGBT是能(neng)源(yuan)變換與傳輸(shu)的(de)核心器(qi)(qi)件，俗稱電(dian)(dian)力電(dian)(dian)子裝(zhuang)置的(de)“CPU”，在智能(neng)電(dian)(dian)網、新能(neng)源(yuan)發電(dian)(dian)、軌道交通、電(dian)(dian)動汽車(che)、消費類電(dian)(dian)子、工(gong)業控制、國防軍(jun)工(gong)等(deng)領域應用極(ji)為廣泛(fan)。高(gao)壓(ya)IGBT將主要用于靈活(huo)交流(liu)輸(shu)電(dian)(dian)、高(gao)壓(ya)直(zhi)(zhi)流(liu)斷(duan)路(lu)器(qi)(qi)、柔性(xing)直(zhi)(zhi)流(liu)輸(shu)電(dian)(dian)等(deng)產(chan)品(pin)。
通過產(chan)品的(de)規(gui)模產(chan)業化，打破國外壟斷，實現高壓IGBT器件在智能電網的(de)國產(chan)化替(ti)代(dai)，推(tui)動(dong)經濟社會發展(zhan)，保障電網安全。
【產品圖片】
圖1 IGBT芯片
圖2 FRD芯片
圖3 IGBT 模塊
圖4 柔直應用
【與國外同類技術產品對比情況】
技術對比情況：存在差距
價格對比情況：高壓
國外技術(shu)產品(pin)廠家及名稱：ABB企業3300V/1500A技術(shu)產品(pin)
【技術指標】
1．閾(yu)值電壓Vth(V)—器(qi)件開始導(dao)通的門(men)極(ji)電壓：5～7V
2．集(ji)電極(ji)-發射(she)極(ji)飽和電壓Vce(sat)（V）—器件的導通壓降(jiang)：3.7V
3．集(ji)電(dian)極-發射極漏(lou)電(dian)流最大值Ices（mA）—器(qi)件的(de)漏(lou)電(dian)流：40mA
4．開通(tong)損耗(hao)Eon（mJ）-器(qi)件的開通(tong)損耗(hao)：4.5J
5．關(guan)斷損耗(hao)Eoff（mJ）—器件(jian)的關(guan)斷損耗(hao)：2.2J
9．高速安全芯片
【所屬領域】核心電子元器件
【中央企業名稱】國家電網有限公司
【技術產品簡介】
1、功能/性能
高(gao)(gao)速(su)安全(quan)芯(xin)片(pian)支持多(duo)種(zhong)通信接口，支持多(duo)種(zhong)國(guo)密(mi)、國(guo)際算(suan)法，包括(kuo)SM1，SM2，SM3，SM4，SM7，DES，RSA，SHA等，可以進行加(jia)密(mi)、簽名(ming)、驗簽、密(mi)鑰(yao)生成和哈希等密(mi)碼運算(suan)，分組算(suan)法加(jia)解(jie)密(mi)速(su)度達到(dao)Gbps級，公鑰(yao)算(suan)法達到(dao)萬次每秒以上(shang)，可滿足云端服(fu)務器、加(jia)密(mi)機(ji)等高(gao)(gao)速(su)加(jia)解(jie)密(mi)應用需求。
2、關鍵技術
自主研發CPU架構，高(gao)速算法運算功能(neng)，支(zhi)持CCM加速機制，具備算法級(ji)、電路級(ji)和系統級(ji)多維(wei)度安全(quan)防護技術。
【產品圖片】
圖1
圖2
【與國外同類技術產品對比情況】
技術對比情況：相當
價格對比情況：相當
國外(wai)(wai)技術產(chan)(chan)品廠家及(ji)名(ming)稱：無支持國密算法的國外(wai)(wai)產(chan)(chan)品
【技術指標】
1．密碼算法性能—密碼算法加解密速(su)度：SM1>2Gbps、SM3>3Gbps、SM2>3萬次每(mei)秒
2．存(cun)儲器容量(liang)—內置存(cun)儲器容量(liang)：ROM:128KB、RAM: 547KB
3．安(an)全等(deng)級(ji)—安(an)全芯片(pian)防護等(deng)級(ji)：符合(he)國密(mi)二級(ji)要求
117．自主可控變電站保護控制成套設備
【所屬領域】高端裝備
【中央企業名稱】國家電網有限公司
【技術產品簡介】自(zi)主(zhu)可(ke)控(kong)(kong)變電(dian)站(zhan)保(bao)護(hu)(hu)控(kong)(kong)制成套設備(bei)(bei)是(shi)軟(ruan)硬(ying)件全(quan)國產(chan)化的新(xin)一代(dai)變電(dian)站(zhan)保(bao)護(hu)(hu)控(kong)(kong)制監(jian)控(kong)(kong)設備(bei)(bei)，適應(ying)于(yu)電(dian)力系統1000千伏及(ji)以下電(dian)壓等級變電(dian)站(zhan)，滿足電(dian)網主(zhu)設備(bei)(bei)、輸電(dian)線(xian)路、系統母線(xian)的保(bao)護(hu)(hu)控(kong)(kong)制及(ji)監(jian)控(kong)(kong)功能(neng)要(yao)求(qiu)。
產(chan)品(pin)(pin)基于全國(guo)產(chan)芯片設計(ji)，攻克了一(yi)批保護控制(zhi)監(jian)(jian)控設備(bei)(bei)國(guo)產(chan)化關鍵(jian)技術，提升(sheng)了變電二(er)次核心產(chan)品(pin)(pin)國(guo)產(chan)化水(shui)平。產(chan)品(pin)(pin)設計(ji)標準符(fu)合(he)現(xian)行保護控制(zhi)監(jian)(jian)控設備(bei)(bei)技術規范要求，與現(xian)有保護控制(zhi)監(jian)(jian)控設備(bei)(bei)對(dui)外接口一(yi)致，可以通(tong)用互換，實(shi)現(xian)了保護控制(zhi)監(jian)(jian)控設備(bei)(bei)完(wan)全自主可控，具有重大市場推廣意義。
【產品圖片】
【與國外同類技術產品對比情況】
技術對比情況：相當
價格對比情況：相當
【技術指標】
1．電(dian)磁兼容指(zhi)(zhi)標-反映設備抗電(dian)磁干擾能力水平(ping)：高于(yu)GB/T 14598.26規定(ding)的(de)技術指(zhi)(zhi)標要求。
2．典(dian)型(xing)故障動(dong)作(zuo)速(su)度-反(fan)映電力系統故障時快速(su)切除故障的能(neng)力：高于國(guo)家(jia)標準(zhun)(zhun)、行業(ye)標準(zhun)(zhun)及國(guo)家(jia)電網公(gong)司、南方電網公(gong)司企業(ye)標準(zhun)(zhun)要求；其中線路保(bao)護(hu)、變壓器保(bao)護(hu)和母線保(bao)護(hu)典(dian)型(xing)動(dong)作(zuo)時間≤20ms。
3．測(ce)量精(jing)(jing)度(du)-反映測(ce)量范圍內的精(jing)(jing)度(du)：測(ce)控裝置電(dian)流測(ce)量精(jing)(jing)度(du)誤(wu)差≤0.2%；功率測(ce)量精(jing)(jing)度(du)誤(wu)差小于等于0.5%。
4．實時數(shu)據庫容量(liang)(liang)(liang)-反應監控系統實時數(shu)據庫處(chu)理能力：模擬量(liang)(liang)(liang)≥50000點(dian)，狀態量(liang)(liang)(liang)≥100000點(dian)，計算量(liang)(liang)(liang)≥2000點(dian)。
5．數(shu)據處理(li)速度-反映(ying)電力系統實(shi)時數(shu)據處理(li)能(neng)力：高于國家標準(zhun)(zhun)、行業(ye)標準(zhun)(zhun)及國家電網公司、南(nan)方電網公司企業(ye)標準(zhun)(zhun)要求。
