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航天科技九院771所成功研制抗輻射VDMOS產品

文章來源(yuan):中國航天科技集團公司  發布時間:2018-04-12

2016年(nian),航天(tian)科技集(ji)團九(jiu)院(yuan)771所新(xin)集(ji)成電路事業部全年(nian)收(shou)入(ru)超2億(yi)元(yuan),其(qi)中VDMOS(半導體場效應晶體管)單項產品(pin)收(shou)入(ru)達8400多(duo)萬(wan)元(yuan),同(tong)比增長133%。

減虧(kui)目標 從產業化(hua)開始

771所新集(ji)成(cheng)電路生產(chan)線(xian)投產(chan)以來,在(zai)專項(xiang)集(ji)成(cheng)電路研(yan)制、開發(fa)(fa)和生產(chan)方(fang)面取(qu)得了(le)許多成(cheng)績,但由于專項(xiang)產(chan)品在(zai)種(zhong)類、數(shu)量等諸多方(fang)面的限制,該條生產(chan)線(xian)并(bing)沒有(you)發(fa)(fa)揮出最(zui)佳效(xiao)益,投入與產(chan)出不匹配,連年虧損。

面(mian)對困難和窘境,該所開始(shi)嘗(chang)試用這條(tiao)生產(chan)線開發軍民兩用且市場銷量大(da)的產(chan)品,將優勢(shi)產(chan)品做大(da),實現產(chan)業化(hua)規模效(xiao)(xiao)應,提(ti)升(sheng)經濟效(xiao)(xiao)益。

經過認真(zhen)分析(xi),所領導決定將VDMOS作為壯(zhuang)大(da)產(chan)(chan)業(ye)(ye)的主打產(chan)(chan)品,達(da)到提質增效、減少虧損的目標。VD?MOS 產(chan)(chan)品兼有雙極晶體管和(he)普通(tong)MOS器件(jian)(jian)的優點(dian),在功率器件(jian)(jian)市場中的份額占比達(da)到45%。該(gai)所加大(da)力度,重點(dian)將VDMOS產(chan)(chan)品產(chan)(chan)業(ye)(ye)化。

模式(shi)創新 嘗試有(you)限產業鏈

過(guo)去,由于(yu)對新集成(cheng)電路(lu)生產線采用(yong)了當時比較流行的(de)純工藝(yi)代(dai)工模式,所里沒有(you)自己的(de)主打(da)產品,沒有(you)自己的(de)研發核心,規模有(you)限,經濟效(xiao)益受到影響。

為了(le)在經(jing)營模(mo)式(shi)上支持新集成電路生(sheng)產線的(de)發展,771所(suo)決定對該事業(ye)部生(sheng)產體系(xi)進(jin)行模(mo)式(shi)創新,實施有限(xian)產業(ye)鏈模(mo)式(shi),成立(li)專項(xiang)產品(pin)設計組(zu),使(shi)該事業(ye)部由代工的(de)垂(chui)直分工模(mo)式(shi)向有限(xian)產業(ye)鏈模(mo)式(shi)轉化。

這一模(mo)式與目(mu)前集成電(dian)路業(ye)界的(de)發展(zhan)模(mo)式不同,但加強了(le)設計工(gong)程師與工(gong)藝工(gong)程師的(de)結合,促進(jin)了(le)工(gong)藝與生產(chan)的(de)融合,提高了(le)產(chan)品(pin)的(de)成品(pin)率,為VDMOS產(chan)業(ye)化(hua)奠定了(le)基礎。

攻(gong)占高(gao)端 爭取(qu)彎道超車

隨著國家經濟發展步入新(xin)常態,集成電路行業遇(yu)到了許(xu)多新(xin)問題。在民用市場(chang)上,雖然(ran) VDMOS 產品用途廣、市場(chang)占有量大,但競爭激烈,且產品附加(jia)值低。

不過,在專(zhuan)項高(gao)(gao)端市(shi)場上,情況大不一樣,國(guo)家大力支持研制自主(zhu)可控的(de)(de)國(guo)產高(gao)(gao)端元器件。而771所是國(guo)家唯(wei)一的(de)(de)計算機、集成(cheng)電路(lu)和混合集成(cheng)電路(lu)等科研生產為(wei)一體的(de)(de)研究所,特別是在集成(cheng)電路(lu)抗輻照工藝領(ling)域有自己獨特的(de)(de)優勢(shi)和特長。這些成(cheng)為(wei)771 所VDMOS 產品(pin)進入高(gao)(gao)端領(ling)域的(de)(de)條件。

要實現VDMOS 產品的最大效益(yi),走高端產品路線(xian)是實現彎道(dao)超車的最佳思路。于是,該所事業部經過反復研討,決心(xin)在抗輻(fu)射VDMOS 產品上(shang)下大功夫。

產品突破 把工藝(yi)作為重點

在集成電路產(chan)品的(de)生(sheng)產(chan)上,工(gong)(gong)藝(yi)非(fei)常重(zhong)要(yao),工(gong)(gong)藝(yi)條(tiao)件限定了產(chan)品的(de)開(kai)發,影響著產(chan)品的(de)成品率(lv),因此(ci),抗輻射(she)VDMOS產(chan)品成功與否(fou)的(de)關(guan)鍵(jian)在工(gong)(gong)藝(yi)。抓工(gong)(gong)藝(yi)紀律,提(ti)高工(gong)(gong)藝(yi)技術,也就成了最實(shi)際的(de)工(gong)(gong)作。

為此,771所(suo)強化技術(shu)狀態管理(li),該事業部由(you)代工的狀態管理(li)模式逐漸向全壽命周期(qi)質量(liang)管控(kong)模式轉(zhuan)型,履行產(chan)品(pin)質量(liang)保(bao)證的主體責(ze)任,提升(sheng)了工藝(yi)流程文件管控(kong)等級。

該所還重點(dian)針對(dui)VDMOS工藝平臺關鍵工序加強(qiang)技術管控(kong),完成了管控(kong)措施的(de)落實(shi),每月對(dui)生產(chan)線約340個工序點(dian)進行工藝穩定性監控(kong),月平均(jun)達標(biao)率保(bao)持在99%,提升了產(chan)品的(de)穩定生產(chan)能力。

在研制中,771所創新(xin)性(xing)提出(chu)了抗(kang)輻(fu)射加(jia)固器件(jian)結構設計技(ji)術和特殊制造工藝,使工藝技(ji)術再(zai)上一個新(xin)臺(tai)階。工藝技(ji)術的(de)進步(bu),形(xing)成(cheng)了全(quan)產業鏈的(de)抗(kang)輻(fu)射VDMOS 產品平臺(tai),產品在質(zhi)量、產量上也(ye)取得了重大突破。

經過努力,771所2016年(nian)完(wan)成了(le)44款VDMOS 產品(pin)的開發(fa)。目前,這些產品(pin)大(da)部分已通過鑒定(ding)定(ding)型,實現批(pi)產,用于多(duo)種型號任務(wu),創造了(le)可觀(guan)的效益(yi)。2017年(nian)以來(lai),該所與多(duo)家單位簽訂了(le)VDMOS 供貨合(he)同,以期實現更高的經濟效益(yi)和社會(hui)效益(yi)。

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