文章來源(yuan)：中國(guo)電(dian)子科技集團有限(xian)公司 發(fa)布時間：2020-02-27
近日，中(zhong)國(guo)電科46所經過多年氧(yang)化鎵晶(jing)體生(sheng)長(chang)技術探索(suo)，通過改進熱場(chang)結構(gou)、優化生(sheng)長(chang)氣氛和(he)晶(jing)體生(sheng)長(chang)工藝，有效解決(jue)了晶(jing)體生(sheng)長(chang)過程(cheng)中(zhong)原料分解、多晶(jing)形成、晶(jing)體開(kai)裂等問題(ti)，采(cai)用導(dao)模法成功制備出(chu)高質量的4英寸氧(yang)化鎵單晶(jing)。
氧(yang)化(hua)鎵是(shi)一種新(xin)型超寬禁帶半導體(ti)(ti)材料，適用(yong)于制(zhi)造高電流密(mi)度(du)(du)的(de)功率(lv)器(qi)件、紫外探(tan)測器(qi)、發光二(er)極管等。但由于氧(yang)化(hua)鎵屬于單(dan)(dan)斜晶系(xi)，具(ju)有高熔點、高溫分解以及易開(kai)裂的(de)特性，因此，大尺(chi)寸(cun)氧(yang)化(hua)鎵單(dan)(dan)晶制(zhi)備極為困難。中國電科46所制(zhi)備的(de)氧(yang)化(hua)鎵單(dan)(dan)晶的(de)寬度(du)(du)接近100mm，總長度(du)(du)達到(dao)250mm，可(ke)加工出4英寸(cun)晶圓(yuan)、3英寸(cun)晶圓(yuan)和2英寸(cun)晶圓(yuan)。經(jing)測試，晶體(ti)(ti)具(ju)有很(hen)好的(de)結(jie)晶質量，將為國內相關器(qi)件的(de)研制(zhi)提(ti)供有力支撐。
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