文(wen)章來(lai)源：中國電(dian)子科技集團有限公(gong)司 發布時(shi)間：2022-03-22
3月17日，從中國(guo)電(dian)科獲悉，中國(guo)電(dian)科旗下(xia)裝(zhuang)備子集團日前已成功(gong)實現離(li)子注入(ru)機全譜系產(chan)品國(guo)產(chan)化(hua)，可為全球芯片制造(zao)企業(ye)提(ti)供(gong)離(li)子注入(ru)機一(yi)站式解決方案(an)。
據悉，裝備(bei)子(zi)(zi)集團連續突破高性能離子(zi)(zi)源、高速晶(jing)圓傳(chuan)輸等(deng)“卡脖(bo)子(zi)(zi)”技(ji)術，自主研制(zhi)中束流(liu)、大束流(liu)、高能、特種應用(yong)及第三代半導體等(deng)離子(zi)(zi)注入機，工藝段覆蓋至28nm，累計形成核心發(fa)明專利413項，為(wei)我國芯(xin)片(pian)制(zhi)造(zao)產業(ye)鏈補上重要一環，實現我國芯(xin)片(pian)制(zhi)造(zao)領域(yu)全譜系離子(zi)(zi)注入機自主創新發(fa)展(zhan)，有(you)效(xiao)緩解我國芯(xin)片(pian)制(zhi)造(zao)領域(yu)斷鏈、短鏈難題(ti)。
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