文章來源：中國電子科技集團有限公司 發布時間：2022-03-22
3月17日(ri)，從中國(guo)(guo)電科(ke)獲悉，中國(guo)(guo)電科(ke)旗下裝備(bei)子集(ji)團日(ri)前已成功實(shi)現(xian)離子注(zhu)入機全譜系產(chan)(chan)品國(guo)(guo)產(chan)(chan)化，可為全球芯片制造企(qi)業(ye)提供離子注(zhu)入機一站式解決方案。
據悉，裝(zhuang)備子(zi)集(ji)團(tuan)連(lian)續突破高(gao)性(xing)能(neng)離子(zi)源、高(gao)速(su)晶(jing)圓傳輸(shu)等“卡(ka)脖子(zi)”技術，自(zi)主(zhu)(zhu)研(yan)制中(zhong)束流、大束流、高(gao)能(neng)、特(te)種應(ying)用及第三代半導體等離子(zi)注入機，工藝段覆蓋至28nm，累(lei)計形(xing)成核(he)心發明專利(li)413項(xiang)，為我國芯(xin)(xin)片制造產業鏈(lian)補上重要一環，實現我國芯(xin)(xin)片制造領域(yu)全譜系離子(zi)注入機自(zi)主(zhu)(zhu)創新發展，有效緩(huan)解我國芯(xin)(xin)片制造領域(yu)斷鏈(lian)、短鏈(lian)難題(ti)。
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