文章來源：中國電子(zi)科技(ji)集團公司 發布時間：2012-05-09
近(jin)日，中國電(dian)科所(suo)屬第55研(yan)究(jiu)所(suo)第三(san)(san)代移(yi)動(dong)通(tong)信（3G）用(yong)關鍵射頻電(dian)路模塊(kuai)自主研(yan)制成功并批量(liang)生產(chan)。該(gai)產(chan)品(pin)(pin)廣泛(fan)應用(yong)于TD-SCDMA、WIMAX、WCDMA、CDMA2000等3G通(tong)信系統中，產(chan)品(pin)(pin)在TD一(yi)期二期激烈的市場競爭中擊敗了(le)眾(zhong)多國際一(yi)流公司產(chan)品(pin)(pin)，市場占(zhan)有(you)率85%以上(shang)。此項目在2010年度獲江(jiang)蘇省科技進步三(san)(san)等獎。
該產(chan)(chan)品(pin)采用先進(jin)的(de)多芯片組裝（MCM）技(ji)術(shu)、ALN超高導熱(re)率(lv)基板技(ji)術(shu)結合自(zi)主(zhu)芯片技(ji)術(shu)進(jin)行設計(ji)開(kai)發(fa)并迅速將成果轉化，批(pi)量生產(chan)(chan)包括大(da)(da)(da)功率(lv)射(she)頻(pin)收發(fa)控制開(kai)關系(xi)列、極低(di)(di)噪聲放大(da)(da)(da)器系(xi)列、高線性(xing)功放模(mo)塊(kuai)系(xi)列共19個(ge)型號的(de)產(chan)(chan)品(pin)，具有在大(da)(da)(da)功率(lv)下低(di)(di)損耗(hao)高速切換、極低(di)(di)噪聲、大(da)(da)(da)動態、高線性(xing)、低(di)(di)功耗(hao)和高集成度等技(ji)術(shu)優勢(shi)。項目(mu)實(shi)施過程中形成了《超大(da)(da)(da)功率(lv)、超低(di)(di)噪聲射(she)頻(pin)接收前端模(mo)塊(kuai)及其(qi)制備方(fang)法》，《非對稱式的(de)超大(da)(da)(da)功率(lv)射(she)頻(pin)開(kai)關模(mo)塊(kuai)及其(qi)制備》等2項發(fa)明專利(li)，核心技(ji)術(shu)具有自(zi)主(zhu)知識產(chan)(chan)權。