文章來(lai)源：中(zhong)國電子科技集團公司 發布時(shi)間：2013-10-11
日前，由中國電子科技集團第13研究所研制的MEMS加速度傳感器突破了高精度SOI工藝加工、圓片級可調阻尼封裝、低功耗ASIC專用集成電路等關鍵技術，在國際招標項目中，一舉戰勝美國PCB公司和瑞士奇石樂等國際知名傳感器廠商。這是國產MEMS加速度傳感器首次在國際招標中獲勝，標志著中國電科MEMS加速度傳感器已達到國際先進產品水平。
MEMS加速度傳感(gan)器具備高精度、高分辨(bian)率(lv)（分辨(bian)率(lv)優于(yu)10μg）、低(di)噪聲（13所2.5μg，國外同類產品(pin)約(yue)5μg）、低(di)功耗、低(di)溫漂、抗過載和(he)超小體積(ji)（體積(ji)是國外同類產品(pin)1/4）、重量小于(yu)1.2克（國外同類產品(pin)約(yue)10克）等技術特點，主要技術指標(biao)全面超越(yue)國外同類產品(pin)。