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中國電科搶占碳化硅材料與器件制造設備市場先機

文章來源:中國電子科技(ji)集團(tuan)公司  發(fa)布時(shi)間(jian):2014-08-30

  近日,由中國電子科技集團48所、2所、55所共同申請的國家科技部“863”前沿技術項目已獲批,該項目的主要目的是為高壓碳化硅電力電子器件的制造提供關鍵設備和工藝,其中包括4-6寸碳化硅單晶生長爐、碳化硅外延生長爐和碳化硅高溫高能離子注入機的研發。 

  當前(qian)正值(zhi)我國大力開展(zhan)科(ke)技創新(xin)推動產業轉型升級的(de)新(xin)時(shi)期,碳(tan)化(hua)硅制(zhi)造設備已被列入國家《新(xin)材料產業“十(shi)(shi)二(er)五”發展(zhan)規劃》重點產品目(mu)錄,碳(tan)化(hua)硅材料和器(qi)件的(de)科(ke)研也(ye)已納入電力電子行業“十(shi)(shi)二(er)五”規劃。項目(mu)獲批,對(dui)中(zhong)國電科(ke)搶占SiC裝(zhuang)備市場的(de)先機(ji)奠定了堅實(shi)基礎。

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