文章(zhang)來源：中(zhong)國(guo)電子(zi)科技集團公司 發(fa)布時(shi)間：2013-04-06
2012年3月28日，根據中國電子科技集團公司與西安電子科技大學戰略合作協議，針對寬禁帶技術的快速發展，中國電科組織有關單位與西安電子科技大學就寬禁帶技術深入合作進行了洽談。西安電子科技大學校長段寶巖、副校長郝躍和中國電科科技部主任王政、2所所長李子杰、18所所長周春林、48所所長劉濟東等參加洽談。
西電與中國(guo)電科均是國(guo)家電子(zi)科技發(fa)展(zhan)(zhan)(zhan)的優勢力(li)量，雙(shuang)(shuang)方(fang)(fang)有廣(guang)泛的合(he)(he)作(zuo)空間。雙(shuang)(shuang)方(fang)(fang)具體合(he)(he)作(zuo)本著(zhu)“互利共贏、優勢互補”的原則，加強產(chan)學研(yan)協同攻關，在(zai)寬(kuan)禁(jin)帶(dai)技術領域進(jin)行如下四(si)項具體合(he)(he)作(zuo)研(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)：一是雙(shuang)(shuang)方(fang)(fang)聯(lian)合(he)(he)開(kai)(kai)(kai)展(zhan)(zhan)(zhan)高(gao)溫MOCVD設(she)備的設(she)計(ji)、制造、產(chan)業(ye)化和應用研(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)；二是雙(shuang)(shuang)方(fang)(fang)聯(lian)合(he)(he)開(kai)(kai)(kai)展(zhan)(zhan)(zhan)ALD（原子(zi)層(ceng)淀積）設(she)備設(she)計(ji)、制造、產(chan)業(ye)化和應用研(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)；三是雙(shuang)(shuang)方(fang)(fang)聯(lian)合(he)(he)開(kai)(kai)(kai)展(zhan)(zhan)(zhan)寬(kuan)禁(jin)帶(dai)基礎理論(lun)、單晶材(cai)料(liao)、外延材(cai)料(liao)、高(gao)性能器(qi)件(jian)設(she)計(ji)及(ji)工藝(yi)研(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)；四(si)是雙(shuang)(shuang)方(fang)(fang)聯(lian)合(he)(he)開(kai)(kai)(kai)展(zhan)(zhan)(zhan)InGaN太陽(yang)能電池(chi)基礎理論(lun)、材(cai)料(liao)、器(qi)件(jian)設(she)計(ji)和工藝(yi)研(yan)究(jiu)(jiu)(jiu)，以共同促進(jin)我國(guo)寬(kuan)禁(jin)帶(dai)技術的快(kuai)速發(fa)展(zhan)(zhan)(zhan)。