文(wen)章來源：中(zhong)國電子科技集團公(gong)司(si) 發布時間：2013-04-06
2012年3月28日，根據中國電子科技集團公司與西安電子科技大學戰略合作協議，針對寬禁帶技術的快速發展，中國電科組織有關單位與西安電子科技大學就寬禁帶技術深入合作進行了洽談。西安電子科技大學校長段寶巖、副校長郝躍和中國電科科技部主任王政、2所所長李子杰、18所所長周春林、48所所長劉濟東等參加洽談。
西電(dian)(dian)與中國電(dian)(dian)科均(jun)是國家(jia)電(dian)(dian)子(zi)科技發展(zhan)的優(you)勢(shi)(shi)力量，雙(shuang)(shuang)方(fang)有廣泛的合(he)作(zuo)空間。雙(shuang)(shuang)方(fang)具(ju)(ju)體合(he)作(zuo)本(ben)著“互(hu)利共贏(ying)、優(you)勢(shi)(shi)互(hu)補(bu)”的原(yuan)則，加強產(chan)學研(yan)協同(tong)(tong)攻關(guan)，在寬禁(jin)帶技術領域進(jin)行如下(xia)四項(xiang)具(ju)(ju)體合(he)作(zuo)研(yan)究：一是雙(shuang)(shuang)方(fang)聯(lian)(lian)合(he)開(kai)展(zhan)高溫(wen)MOCVD設(she)(she)備的設(she)(she)計、制(zhi)(zhi)造、產(chan)業化和應用研(yan)究；二是雙(shuang)(shuang)方(fang)聯(lian)(lian)合(he)開(kai)展(zhan)ALD（原(yuan)子(zi)層淀積(ji)）設(she)(she)備設(she)(she)計、制(zhi)(zhi)造、產(chan)業化和應用研(yan)究；三是雙(shuang)(shuang)方(fang)聯(lian)(lian)合(he)開(kai)展(zhan)寬禁(jin)帶基礎理論(lun)、單晶材(cai)(cai)料(liao)、外延材(cai)(cai)料(liao)、高性能(neng)器(qi)件設(she)(she)計及工藝(yi)(yi)研(yan)究；四是雙(shuang)(shuang)方(fang)聯(lian)(lian)合(he)開(kai)展(zhan)InGaN太陽能(neng)電(dian)(dian)池基礎理論(lun)、材(cai)(cai)料(liao)、器(qi)件設(she)(she)計和工藝(yi)(yi)研(yan)究，以(yi)共同(tong)(tong)促進(jin)我國寬禁(jin)帶技術的快速發展(zhan)。