文章來源：中(zhong)國(guo)電子信息產業集團公司 發布時間：2010-12-18
中國(guo)電(dian)子(zi)所屬上海(hai)華(hua)虹NEC公司近(jin)日宣布完(wan)成(cheng)金屬氧化物半導體(ti)場效(xiao)(xiao)應(ying)(ying)晶體(ti)管（MOSFET）400V高壓工藝(yi)的(de)研發(fa)，成(cheng)功(gong)進入高壓MOSFET代(dai)工市場。通過技(ji)術攻(gong)關(guan)，華(hua)虹NEC公司成(cheng)功(gong)將(jiang)Trench結構(gou)應(ying)(ying)用(yong)在(zai)高壓 400V MOSFET工藝(yi)中，該工藝(yi)可(ke)應(ying)(ying)用(yong)于熒光燈、臺式機、筆記本電(dian)腦(nao)、液(ye)晶電(dian)視、顯示器(qi)等的(de)交直(zhi)流電(dian)源和(he)適配器(qi)上，與傳(chuan)統的(de)平(ping)面結構(gou)VDMOS相比，該工藝(yi)可(ke)有效(xiao)(xiao)降低產(chan)品的(de)導通電(dian)阻，功(gong)耗低、效(xiao)(xiao)率高，能更好地滿(man)足市場和(he)客戶(hu)需(xu)求，下(xia)一(yi)步華(hua)虹NEC還將(jiang)繼續研發(fa)推出500V-800V的(de)MOSFET產(chan)品工藝(yi)。