SiC MOSFET
文章來源(yuan)：中(zhong)國電子科技集團有限公司 發布時間：2024-05-20
16.SiC MOSFET
【所屬領域】核心電(dian)子(zi)元器件
【中央企業(ye)名稱】中國電子科技集團有限(xian)公司
【成(cheng)果簡介】SiC MOSFET在電(dian)(dian)力變換(huan)電(dian)(dian)路中作為(wei)開關管(guan)被使用(yong)，適(shi)用(yong)于高壓大電(dian)(dian)流(liu)工況。用(yong)SiC MOSFET代替硅(gui)超結MOS或(huo)IGBT，可顯著(zhu)提高系(xi)統的(de)開關頻率(lv)，降(jiang)低系(xi)統的(de)損耗(hao)，同時可以簡化電(dian)(dian)路拓(tuo)撲、減小系(xi)統尺寸。中國電(dian)(dian)子科技集團公(gong)司(si)第五十五研究所(suo)自主研制生產的(de)WM1A080120L1型(xing)SiC MOSFET已批量應用(yong)于新能源汽車OBC。
【主要指標】
1.漏源(yuan)耐壓VDSmax：1200V
2.驅動(dong)電壓：15-20V
3.導通電流ID：36A
4.比導通(tong)電阻：3.8mΩ?cm2
【應用推廣需求】
1.應(ying)用(yong)推(tui)廣方式：銷售
2.應(ying)用(yong)推廣領域(yu)：高壓大電流(liu)的電力電子(zi)變換電路，如新能(neng)源汽車、光伏逆(ni)變、服(fu)務器電源等(deng)。
【成果圖片】
【聯系人】
集(ji)團(tuan)聯系人：丁一(yi)牧，010-84352395（13552993699），dingyimu@vip.163.com
成果聯系人：劉(liu)強，19850089771，liuqiangphy@126.com
【責任編輯：家正】
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