SiC MOSFET
文(wen)章來源：中國電子科技集團有限公司 發(fa)布時間：2024-05-20
16.SiC MOSFET
【所屬領域】核(he)心(xin)電子元器件(jian)
【中央企業名稱】中國電子科技(ji)集(ji)團有限公(gong)司
【成果簡介】SiC MOSFET在電(dian)力變換電(dian)路中作為開關管被使(shi)用，適用于高壓(ya)大電(dian)流工況。用SiC MOSFET代替硅(gui)超結MOS或IGBT，可顯(xian)著提高系統的開關頻率，降低系統的損耗(hao)，同時(shi)可以簡化電(dian)路拓撲、減小系統尺寸。中國電(dian)子科技集團公司第(di)五十五研究所自(zi)主研制(zhi)生產的WM1A080120L1型SiC MOSFET已批量(liang)應(ying)用于新能源汽車OBC。
【主要指標】
1.漏源耐壓VDSmax：1200V
2.驅動電壓(ya)：15-20V
3.導通電流ID：36A
4.比導通(tong)電阻：3.8mΩ?cm2
【應用推廣需求】
1.應用推廣(guang)方式(shi)：銷售(shou)
2.應用推廣領域：高壓大電流的電力電子變換(huan)電路(lu)，如新能源汽車、光伏逆(ni)變、服務器電源等。
【成果圖片】
【聯系人】
集團聯系人：丁(ding)一牧，010-84352395（13552993699），dingyimu@vip.163.com
成果聯系人：劉強，19850089771，liuqiangphy@126.com
【責任編輯：家正】
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