多層外延CoolMOS器件系列產品
文章來源(yuan)：華潤（集團）有限(xian)公司 發布時間(jian)：2024-05-20
50.多層外(wai)延CoolMOS器件(jian)系列產(chan)品(pin)
【所(suo)屬領域(yu)】核(he)心電子元器件
【中央企業(ye)名稱】華(hua)潤（集團）有限公(gong)司(si)
【成果(guo)簡(jian)介】CoolMOS屬于電(dian)荷(he)平衡器件，在超結(jie)結(jie)構中(zhong)，由(you)于N區與P區中(zhong)的(de)(de)電(dian)荷(he)相互平衡，使得電(dian)場分(fen)布與傳(chuan)統MOSFET不同，器件縱向電(dian)場由(you)三角形分(fen)布變成近矩形分(fen)布。因(yin)此，擊穿(chuan)電(dian)壓(ya)僅(jin)僅(jin)依賴于外(wai)延(yan)層的(de)(de)厚(hou)度(du)，而與摻雜濃度(du)無關，這使得RON與擊穿(chuan)電(dian)壓(ya)的(de)(de)關系(xi)得到(dao)很(hen)大改進，打(da)破了傳(chuan)統結(jie)構的(de)(de)硅極限，由(you)傳(chuan)統的(de)(de)平方關系(xi)變為線性關系(xi)。
CoolMOS是(shi)HVMOS的主要發展(zhan)方向，Infineon在2000年左右已(yi)量產(chan)該類器件，目前已(yi)發展(zhan)到第七代C7/P7產(chan)品，Rsp為8毫(hao)歐平方厘米(600V器件)，是(shi)業界(jie)量產(chan)的最好水(shui)平。
華潤微最新的S5超結MOS平臺是自(zi)主開(kai)(kai)發的第五代超結多層外(wai)延(yan)工藝(yi)平臺，通過全新的元胞及終端設計(ji)，芯片面(mian)積(ji)較(jiao)前一(yi)(yi)代縮(suo)小25%，成(cheng)本降低20%，同時在導(dao)通損耗、開(kai)(kai)關損耗等方(fang)面(mian)較(jiao)前一(yi)(yi)代有(you)大幅的提升(sheng)，實現更(geng)高的電源效率(lv)轉(zhuan)換。對比(bi)Infineon C6產品，S5平臺在比(bi)導(dao)通電阻Rsp上遠優于C6系列接近P7系列產品，同時在FOM_Qgd優值上也(ye)較(jiao)C6更(geng)優，產品性(xing)能處于國內領先國際一(yi)(yi)流的水平。
【主要指標】
1.擊穿電壓：600V～800V
2.電(dian)流：2A～83A
3.閾(yu)值電(dian)壓(ya)：2V～4V
【應用推廣需求】
1.應用推廣(guang)方式(shi)：銷售
2.應用推(tui)廣領域：新(xin)能源汽車、充電樁、通信(xin)電源、服務器電源、光伏(fu)逆變、LED電源、TV電源、適配器、充電器、UPS等。
【成果圖片】
【聯系人】
集團聯系人(ren)：楊(yang)華(hua)勝，15901036652，yanghuasheng03@crc.com.hk
成果聯系(xi)人：張新，13771520470，zhangx@hj.crmicro.com
【責任編輯：家正】
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