SiC MOSFET
文章來源：中國電子科(ke)技集團有限公司 發布時間：2024-05-20
16.SiC MOSFET
【所屬領域】核心電子元器件(jian)
【中央企業(ye)名稱】中國電子科技集(ji)團(tuan)有限公司
【成果簡介】SiC MOSFET在電(dian)力變換(huan)電(dian)路中(zhong)作(zuo)為(wei)開(kai)關管(guan)被使用，適用于高(gao)壓(ya)大(da)電(dian)流工況。用SiC MOSFET代替硅超結MOS或IGBT，可(ke)顯著提高(gao)系統的(de)開(kai)關頻率(lv)，降(jiang)低(di)系統的(de)損(sun)耗，同時可(ke)以(yi)簡化電(dian)路拓撲、減小系統尺寸(cun)。中(zhong)國電(dian)子科(ke)技集團公司第五十五研究(jiu)所自主(zhu)研制生產的(de)WM1A080120L1型(xing)SiC MOSFET已批量(liang)應用于新能源(yuan)汽車(che)OBC。
【主要指標】
1.漏源耐壓(ya)VDSmax：1200V
2.驅動電壓：15-20V
3.導通電(dian)流ID：36A
4.比導(dao)通電阻：3.8mΩ?cm2
【應用推廣需求】
1.應用推廣(guang)方式：銷(xiao)售
2.應(ying)用(yong)推廣領域(yu)：高壓大(da)電流的電力電子變(bian)換電路，如新能源汽車、光伏逆變(bian)、服務(wu)器(qi)電源等。
【成果圖片】
【聯系人】
集(ji)團聯系人：丁一牧，010-84352395（13552993699），dingyimu@vip.163.com
成果聯系人(ren)：劉強，19850089771，liuqiangphy@126.com
【責任編輯：家正】
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