SiC MOSFET
文(wen)章來源：中國電(dian)子(zi)科(ke)技集團有(you)限(xian)公司 發布時間：2024-05-20
16.SiC MOSFET
【所屬(shu)領域(yu)】核(he)心(xin)電子(zi)元器件
【中央企業名稱】中國電(dian)子科技集(ji)團有(you)限公司(si)
【成果簡(jian)介】SiC MOSFET在電(dian)力(li)變換電(dian)路中作(zuo)為(wei)開關(guan)管被(bei)使用(yong)(yong)，適用(yong)(yong)于(yu)高壓(ya)大(da)電(dian)流工況。用(yong)(yong)SiC MOSFET代替硅(gui)超結MOS或(huo)IGBT，可顯著(zhu)提高系(xi)統(tong)(tong)的(de)開關(guan)頻率，降低系(xi)統(tong)(tong)的(de)損耗(hao)，同(tong)時可以簡(jian)化電(dian)路拓撲、減小(xiao)系(xi)統(tong)(tong)尺(chi)寸(cun)。中國電(dian)子科(ke)技集團公司第(di)五十五研究所自主研制生產的(de)WM1A080120L1型SiC MOSFET已批(pi)量應用(yong)(yong)于(yu)新能源汽車OBC。
【主要指標】
1.漏(lou)源耐壓VDSmax：1200V
2.驅動電壓：15-20V
3.導通電流ID：36A
4.比導通電阻(zu)：3.8mΩ?cm2
【應用推廣需求】
1.應用推(tui)廣方(fang)式(shi)：銷售
2.應用推廣領域：高壓大電(dian)(dian)流的電(dian)(dian)力電(dian)(dian)子變換電(dian)(dian)路，如新能(neng)源汽車、光伏逆(ni)變、服(fu)務器電(dian)(dian)源等。
【成果圖片】
【聯系人】
集團聯系人(ren)：丁一(yi)牧(mu)，010-84352395（13552993699），dingyimu@vip.163.com
成果(guo)聯(lian)系人：劉強(qiang)，19850089771，liuqiangphy@126.com
【責任編輯：家正】
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